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半導體企業(yè)競爭發(fā)展高度集成發(fā)光二極體(LED)照明驅動

文章出處:行業(yè)新聞 責任編輯:廣東惟思照明科技有限公司 發(fā)表時間:2022-07-08
  

半導體企業(yè)競爭發(fā)展高度集成發(fā)光二極體(led照明驅動IC方案。高壓金屬氧化物半導體場效電晶(MOSFET)產能緊,LED照明系統供應商正面臨交貨延遲的困境,因此晶片供應商正在加快發(fā)布高壓集成MOSFET的LED照明驅動IC方案,讓LED照明系統客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。

恩智浦區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示,調光和非調光LED驅動IC和LED所有燈具的諧振控制器都需要高壓MOSFET,因此,恩智浦將通過高整合LED驅動IC該計劃確??蛻粽莆肇浽础?/p>

恩智浦(NXP)區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示,2013年LED照明市場將更加蓬勃發(fā)展,但目前LED照明系統開發(fā)商是因為高壓MOSFET嚴重缺貨,陷入訂單多卻無法發(fā)貨的困境,很難在市場上大施拳腳。

避免高壓MOSFET供應不足影響市場擴張進度,包括恩智浦和意大利半導體(ST)、包爾英特(PI)等晶片制造商,已紛紛推出整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC為了確??蛻鬖ED照明產品出貨無虞,同時借機成長LED照明驅動IC的市場版。

恩智浦大中華區(qū)照明產品市場經理張偉超指出,高壓生產整合MOSFET的LED照明驅動IC,必須有高壓制程。然而,由于高壓制程的技術門檻太高,并非所有晶片制造商都有能力發(fā)展。因此,預計在這一缺貨趨勢下,恐怕會出現LED照明驅動IC供應商勢力消長。

為大舉插旗高度整合LED驅動IC王永斌強調,恩智浦已經把高原放在了計劃市場上SOI-HV更適合高壓制程轉換LED照明應用的ABCD3.預計量產將于2013年啟動,不僅更適合高壓整合MOSFET,同時可以減少泄漏電流,節(jié)省泄漏電流LED照明應用不必要的功能,能量產出更高的性價比LED驅動IC產品。

除了加強高壓制程技術外,現階段只有意法半導體和東芝(Toshiba)及英飛凌(Infineon)等少數高壓MOSFET因此,為了保證高整合方案的順利開發(fā),恩智浦也做好了萬全備料準備。

張偉超透露,恩智浦預計2012年下半年LED照明市場規(guī)模將急速擴張,因此已提早向高壓MOSFET從業(yè)者購買產品,現在可以保證客戶在六到八周內獲得高度的整合度LED照明驅動IC計劃將在未來縮短到三到四周。此外,恩智浦還計劃投資高壓MOSFET為了掌握更穩(wěn)定的供應,制造商。

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